书第三章p165 13（b）

“估算”的部分主要体现在第二级的小基极电流忽略。两级的静态工作点和小信号模型参数还是都要求，然后常规方法计算ri、ro、Av（一级一级先求Avi，然后乘一块）即可。
注意：应当注意前一级有个RL为后一级的ri；后一级有个电源内阻为前一级的ro。

答案p84 15.

对上下截止频率的估算，就是找一个主要影响的电容，然后用它所在回路的1/RC

对下截止频率的估算：要估算哪个回路的R更小，我觉得本题的思路是C2对应回路的R有共集的ro，而C1对应回路为共射ri，那应该前者更小，所以C2决定的下截止频率更高，就以它来估算。

对上截止频率的估计：即选择哪一个管子的Cπ'，思路如下：

由于T1、T3晶体管分别构成共集电路，增益约为1且为正值，没有结电容的密勒效应的影响，电路频带很宽；而T2晶体管构成共射电路，增益较大且为负值，结电容的密勒效应的影响明显。因此，影响电路高频特性的主要是T2晶体管。

提醒：题目如果给了rbb'的话别忘了。

16.
对源电压增益做估算的时候，利用了两个估算：一个是共集的一级增益约为1，一个是当rs很小的时候那个ri/ri+rs也约等于1。但是注意，同一道题的第一级是个共漏接法，但那一级的Av算出来是0.67，也就是没法忽略的那种。
它这个题的第三问，问了输入耦合电容、射极电容、输出耦合电容哪一个对低频特性影响较大，但是射极电容。我觉得原因在于：射极电容那里首先往里看是个共集的ro比较小，同时最后一级虽然也是这样，但最后一级并的那个电容大，且应该rs也要大。